国家自然科学基金委员会“SiC器件高密度封装集成多物理场表征与调控”重大项目研讨会在我校举办

发布时间: 2024-04-11 09:47:19 浏览次数 : 1065 来源:合肥工业大学

3月31日，国家自然科学基金委员会工程与材料科学部电气科学与工程学科主办的“SiC器件高密度封装集成多物理场表征与调控”重大项目研讨会在我校召开。副校长丁立健教授、浙江大学盛况教授和重庆大学杜雄教授主持会议，来自全国有关高校的40余位专家学者参加会议。

开幕式上，国家自然科学基金委员会电气科学与工程学科主任郑雁军介绍了项目2023年指南、申报及答辩情况，并对2024年的指南和申报工作提出建议。郑雁军指出，SiC器件的发展仍有向上的空间，期待该领域领军学者与青年教师借助本次交流成效推动理论创新，注重应用场景的聚焦，进一步凝练好科学问题，组织好科研团队，发挥好自身优势，共同促进学科前沿的追踪引领与交叉领域的深度融合创新，推动电气学科的蓬勃发展。

丁立健代表学校对参会的领导及专家表示热烈欢迎，并感谢国家自然科学基金委长期以来对合肥工业大学电气学科研究和学科建设的关心与支持。他表示，“SiC器件高密度封装集成多物理场表征与调控”重大项目研讨会旨在广聚学术资源，汇集学术人才，号召SiC封装领域的领军学者及青年教师为创造重大关键成果、解决国家重大需求贡献力量。

研讨会期间，与会专家就高压大功率SiC器件多场表征与调控、SiC功率半导体封装等的研究进展与成果、主要问题、未来工作计划作了报告。在湖南大学丁荣军院士的指导下，与会专家针对重大项目“SiC器件高密度封装集成多物理场表征与调控”的研究内容、重点问题及技术应用等展开了深入的探讨和热烈的交流。大家纷纷表示，该重大项目将进一步明确需求、精准凝练科学问题、瞄准基础理论研究、围绕国家重大需求开展深入研究。

各相关领域领军学者及青年教师，合肥工业大学电气与自动化工程学院相关负责同志出席研讨会。

（杨晓东/文杨晓东/图李丽鹏/审核）

责任编辑：刘红平